သတ္တု etching အပေါ်မှတ်စုများ

ဘေးထွက် corrosion နှင့်ပေါ်ထွက်လာအစွန်းကိုလျှော့ချ, တိုးတက်အောင်သတ္တု etchingအပြောင်းအလဲနဲ့ coeffificate: အတွက်အထွေထွေပုံနှိပ်ပန်းကန်ကြာကြာသတ္တု etching, ပိုပြီးလေးနက်ခြမ်း atching ။ အောက်ခြေဖြတ်တောက်ခြင်းသည်ပုံနှိပ်ခြင်းမျဉ်း၏တိကျမှုအပေါ်အကျိုးသက်ရောက်သည်။ အောက်ခြေ cut နှင့်အစွန်းကျဆင်းသောအခါ actching heefffication တိုးပွားလာသည်။ အလွန်အမင်းစွဲမြဲစွာ coeffificate သည်ပါးလွှာသောလိုင်းများကိုဆက်လက်ထိန်းသိမ်းထားနိုင်ပြီးမူရင်းပုံရိပ်အရွယ်အစားနှင့်နီးကပ်စွာပြုလုပ်နိုင်သည်ကိုဖော်ပြသည်။ မည်သည့်နေရာ၌ပင်ပန်းနွမ်းနယ်နေပါစေ, Bridgruding Edge သည်အလွယ်တကူချိုးဖောက်နိုင်သောကြောင့်ဝါယာကြိုးနှစ်ချက်အကြားတံတားတစ်စင်းကိုဖွဲ့စည်းထားသည်။
ပြားများအကြားအပြောင်းအလဲနဲ့ညီမျှမှု၏ရှေ့နောက်ညီညွတ်မှုကိုတိုးတက်အောင်လုပ်ခြင်းသတ္တု etchingProcesser Rate, ယူနီဖောင်းကိုစွဲကိုင်ထားသည့်ပန်းကန်များကိုရယူနိုင်သည်။ ရှေ့ရှုမှတ်စုအသင်းတွင်အကောင်းဆုံး actloding ပြည်နယ်ကိုအမြဲတမ်းထိန်းသိမ်းထားနိုင်ရန်အတွက်ပြန်လည်ထူထောင်ရန်လွယ်ကူခြင်းနှင့်လျော်ကြေးပေးရန်လွယ်ကူသောဖြေရှင်းနည်းများကိုရွေးချယ်ရန်နှင့်စွဲချက်နှုန်းကိုထိန်းချုပ်ရန်လွယ်ကူသည်။ အဆက်မပြတ်လည်ပတ်နေသောအခြေအနေများနှင့်အမျိုးမျိုးသောဖြေရှင်းနည်းများကိုအလိုအလျောက်ထိန်းချုပ်နိုင်သည့်နည်းပညာများနှင့်ပစ္စည်းကိရိယာများကိုရွေးချယ်ပါ။ ၎င်းကိုဖျက်သိမ်းပြီး Tong ပမာဏကိုထိန်းချုပ်ခြင်း, PH တန်ဖိုး, ဖြေရှင်းချက်အာရုံစူးစိုက်မှု,
၏တူညီမှုကိုတိုးတက်စေသတ္တု etchingPlate တစ်ခုလုံး၏ processing မြန်နှုန်း - ပန်းကန်၏အထက်နှင့်အောက်ပိုင်းနှင့်အနိမ့်ပိုင်း၏စည်းလုံးညီညွတ်မှုနှင့်ပန်းကန်၏အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုစီ၏အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုစီ၏အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုစီကိုယူနီဖောင်းအားဖြင့်ဆုံးဖြတ်သည်သတ္တု etchingပန်းကန်၏အရည်စီးဆင်းမှုနှုန်း။ စွဲမြဲစွာဖြစ်စဉ်တွင်အထက်နှင့်အောက်ပြား၏စွဲချက်နှုန်းသည်မကြာခဏကိုက်ညီမှုမရှိပါ။ အနိမ့်ပြားမျက်နှာပြင်၏ actating နှုန်းသည်အထက်ပန်းကန်မျက်နှာပြင်ထက်ပိုမိုမြင့်မားသည်။ အထက်ပါပြား၏မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိဖြေရှင်းချက်စုဆောင်းခြင်းကြောင့်စွဲမှုတုံ့ပြန်မှုအားနည်းနေသည်။ အထက်နှင့်အောက်မြောက် nozzles ၏ဆေးထိုးဖိအားကိုညှိခြင်းဖြင့်အထက်နှင့်အောက်ပြားများကိုမညီမျှမှုကိုမညီမျှသောစွဲချက်များကိုဖြေရှင်းနိုင်သည်။ ရေမှုန်ရေမွှားစနစ်ကိုအသုံးပြုခြင်းနှင့် nozzle ကိုလွှဲခြင်း, ပန်းကန်၏မျက်နှာပြင်တစ်ခုလုံး၏ပုံသဏ္ဌာန်တစ်ခုလုံးကိုတစ်ပြိုင်နက်တည်းတိုးတက်စေနိုင်သည်။